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AN1L4Z


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AN1L4Z ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 47kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AN1L4Z
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
AN1L4Z Datenblatt (jpg):-
AN1L4Z Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:AA1L4Z
Ähnliche Typen:DTA144TS, [mehr]
DTA144TS,KSR2012,UN4110,2SA1509
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AN1L4Z


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AN1L4Z ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 47kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AN1L4Z
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
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Komplementär Typ:AA1L4Z
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AN1L4Z


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AN1L4Z ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 47kOhm integriert
Photo: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AN1L4Z
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
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Komplementär Typ:AA1L4Z
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DTA144TS,KSR2012,UN4110,2SA1509
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

KSR2012


SI PNP Transistor
ähnlich AN1L4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
der KSR2012 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 40V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
Photo: -
Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: KSR2012
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
KSR2012 Datenblatt (jpg):verfügbar
KSR2012 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
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KSR2012


SI PNP Transistor
ähnlich AN1L4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
der KSR2012 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 40V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
Photo: -
Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: KSR2012
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
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KSR2012


SI PNP Transistor
ähnlich AN1L4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
der KSR2012 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 40V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
Photo: -
Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: KSR2012
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

UN4110


SI PNP Transistor
ähnlich AN1L4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN4110 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 47kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN4110
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:-
UN4110 Datenblatt (jpg):-
UN4110 Datenblatt (pdf):-
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UN4110


SI PNP Transistor
ähnlich AN1L4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN4110 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 47kOhm integriert
Photo: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN4110
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:-
UN4110 Datenblatt (jpg):-
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Komplementär Typ:-
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UN4110


SI PNP Transistor
ähnlich AN1L4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN4110 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 47kOhm integriert
Photo: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN4110
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:-
UN4110 Datenblatt (jpg):-
UN4110 Datenblatt (pdf):-
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

2SA1509


SI PNP Transistor
ähnlich AN1L4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ -
der 2SA1509 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 47kOhm integriert
Photo: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SA1509
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
2SA1509 Datenblatt (jpg):-
2SA1509 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:2SC3899
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AN1L4Z,DTA144TS,KSR2012,UN4110
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2SA1509


SI PNP Transistor
ähnlich AN1L4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ -
der 2SA1509 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 47kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SA1509
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
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Komplementär Typ:2SC3899
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AN1L4Z,DTA144TS,KSR2012,UN4110
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2SA1509


SI PNP Transistor
ähnlich AN1L4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ -
der 2SA1509 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 47kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SA1509
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
2SA1509 Datenblatt (jpg):-
2SA1509 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:2SC3899
Ähnliche Typen:AN1L4Z, [mehr]
AN1L4Z,DTA144TS,KSR2012,UN4110
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp